Professoren Nick Holonyak Junior en Milton Feng van de Universiteit van Illinois at Urbana-Champaign hebben een licht uitstralende transistor ontwikkeld. Ze hebben hun vinding beschreven in het nummer van het tijdschrift Applied Physics Letters dat gisteren is verschenen. Zo'n licht uitstralende transistor zou een belangrijke rol kunnen spelen bij de verdere ontwikkeling van opto-elektronische schakelingen.
De 'light emitting tranisistor' of 'let' heeft drie in plaats van twee poorten. Behalve de elektrische input- en output-poort heeft de let ook een optische output-poort. Holonyak en Feng hebben aangetoond dat ze de lichtintensiteit van die optische uitgang kunnen laten variëren door de basisstroom die over de transistor staat te manipuleren, net zoals de stroom die via de uitgangspoort loopt te manipuleren valt.
Om de transistor te bouwen is van andere materialen dan gewoonlijk gebruikt gemaakt. In plaats van silicium en germanium is gebruik gemaakt van verbindingen van indium galliumfosfide en galliumarsenide, materialen die ook bij 'light emitting diodes' (led's) worden toegepast. In de transistorschakeling blijken echter veel hogere schakelsnelheden mogelijk. Het prototype dat door een student ontwikkeld is, kan schakelen met een frequentie van 1 megahertz. De onderzoekers twijfelen er echter niet aan dat veel hoger schakelfrequenties mogelijk zijn. (jwy)