Vorig jaar berichtten we dat wetenschappers erin geslaagd waren om een diamanten laag op een wafer te laten groeien. De verwachtingen voor dit materiaal als halfgeleider zijn hoog, zo zou diamant bij hogere temperaturen kunnen werken dan silicium halfgeleiders en zouden er ook hogere frequenties mee haalbaar zijn. Ondertussen hebben wetenschappers over de hele wereld niet stil gezeten en volgens EE Times hebben een aantal onderzoekers van de Nippon Telegraph and Telephone Corperation in Japan, een doorbraak geboekt. Ze zijn er namelijk in geslaagd om een diamanten halfgeleider te maken die op 81GHz werkt.
Het grootste probleem bij het maken van diamanten halfgeleiders zijn de vreemde atomen die in de diamanten laag terecht komen als deze wordt aangebracht op een wafer. NTT is er in geslaagd om deze onzuiverheden met een factor 20 omlaag te brengen en verwachten dat ze dit in de toekomst nog verder omlaag kunnen brengen. Dit zou het mogelijk moeten maken om transistors te bouwen die op een frequentie van 200GHz kunnen werken.
Op de website van NTT, staat wat meer informatie. Hieruit blijkt dat de gemaakte schakeling gebruikt kan worden om elektrische signalen van 30 tot 300GHz te versterken. Verwacht wordt dat dit soort transistors in de toekomst vacuümbuizen zullen vervangen die nog steeds voor dit soort frequenties worden gebruikt.