Onderzoekers op de universiteit van de Amerikaanse staat Illinois zijn erin geslaagd een transistor te bouwen die werkt met een frequentie van 509GHz. Volgens de universiteit is deze snelheid nog niet eerder gehaald en wordt het oude wereldrecord van 452GHz, dat ook in Illinois werd gevestigd, hiermee verbroken. Er wordt voor de transistor niet gebruik gemaakt van de materialen gemanium en silicium, maar van indiumfosfide en indium-galliumarsenide. Een materiaalsysteem van deze twee stoffen is sneller en heeft een hogere stroomdichtheid. Door de componenten van de transistor steeds kleiner te maken, worden de ladings- en ontladingstijden steeds korter.
Begin dit jaar werd door het team onderzoekers, dat onder leiding staat van professor Milton Feng, al een transistor ontwikkeld met een maximale frequentie van 382GHz. De collector, een van de drie basisonderdelen van een transistor, had in die versie een grootte van 150 nanometer en is in de huidige nog 75 nanometer. Feng zegt in de toekomst het ultieme doel te willen bereiken: een transistor met een frequentie van een terahertz.